Транзистор STP80NF55Transistor STP80NF55 Power Mosfet Ultra Low ResistanceАртикулHWC10530ОбзорТранзистор STP80NF55 (маркировка P80NF55-06) – мощный полевой МОП-транзистор.Характеристики: Категория: Power MOSFETПолярность транзистора: NКоличество контактов: 3Количество элементов на чип: 1Максимальная рассеиваемая мощность: 300 ВтМаксимальное напряжение входа: ±20 ВМаксимальное напряжение источника: 55 ВМаксимальное сопротивление: 0.005 ΩМаксимальный непрерывный потребляемый ток: 80 AРабочая температура максимальная: +175 °CРабочая температура минимальная: -55 °CРазмеры: 10.4 x 4.6 x 15.75 мм Тип корпуса: TO-220Напряжение Измерения Rds(on): 10 ВПороговое Напряжение Vgs: 3 В Посмотреть/скачать описание транзистора STP80NF55-06 (формат PDF размер 565 КБ) "160 ₽0 ₽HWC1053Под заказОтзывы и оценки покупателейОставьте отзыв об этом товаре первым!Покупатели, которые приобрели Транзистор STP80NF55, также купилиРадиатор 20х15х10 мм для микросхем в корпусе TO-22015 ₽К сравнениюРекомендуем посмотретьМикросхема ULN2003L Darlington20 ₽К сравнениюМагнит неодимовый диск 6×3 мм, 1 шт.60 ₽К сравнениюРезонатор кварцевый 4.000 МГц HC-49S25 ₽К сравнениюРезонатор кварцевый 8.000 МГц HC-49S25 ₽К сравнениюТранзистор BDX53C NPN 100В 8А50 ₽К сравнениюТранзистор BDX54C PNP 100В 8А50 ₽К сравнениюТранзистор SUP75P03200 ₽К сравнениюРезистор подстроечный 3362P 10 кОм25 ₽К сравнениюРезистор переменный R0904N 20 кОм50 ₽К сравнениюРезистор 220 Ом 0,125 Вт (10 шт.)30 ₽К сравнениюРезонатор пьезокерамический ZTTCV 8.000 МГц25 ₽К сравнениюРезонатор кварцевый 16.000 МГц HC-49S25 ₽К сравнению